维持电流擎住电流浪涌电流正向漏电流反向漏电流测试服务

功率金属氧化物场效应管1漏源间反向击穿电压半导体测试方法测试标准MIL-STD-750F:2012 3407.1只测: -3.5kV~3.5kV半导体分立器

  • 产品单价: 188.00元/台
  • 品牌:

    长禾实验室

  • 产地:

    陕西 西安市

  • 产品类别:三极管
  • 有效期:

    长期有效

  • 发布时间:

    2020-10-31 10:09

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  • 产品详情

产品参数

品牌:

长禾实验室

所在地:

陕西 西安市

起订:

≥1 台

供货总量:

1000 台

有效期至:

长期有效

品牌:

长禾实验室

产地:

陕西西安

测试器件:

18类分立器件

详情介绍

功率金属氧化物场效应管 1 漏源间反向击穿电压 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3407.1 只测: -3.5kV~3.5kV
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3407 只测: -3.5kV~3.5kV
2 通态电阻 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3421.1 只测: 0~10kΩ,,0~1500A
3 阈值电压 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3404 只测: -10V~10V
4 漏极反向电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3415.1 只测: -100mA~100mA
5 栅极漏电流 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1 只测: -100mA~101mA
6 体二极管压降 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4 只测: 0A~1500A
7 跨导 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2 只测: 1ms~1000s
8 开关时间 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3472.2 只测: VD:5V~3.3kV, ID:100mA~1500A
9 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3472 只测: VD:5V~3.3kV, ID:100mA~1500A
10 体二极管反向恢复时间 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 只测: 10ns~2µs
11 体二极管反向恢复电荷 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1 只测: 1nC~100µC
12 栅极电荷 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3471.3 只测: Qg:0.5nC~500nC
13 单脉冲雪崩能量 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3470.2 只测: L:0.01mH~159.9mH, Ias:0.1A~1500A
14 栅极串联等效电阻 功率MOSFET栅极串联等效电阻测试方法 JESD24-11:1996(R2002) 只测: 0.1Ω~50Ω
15 稳态热阻 半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3161.1 只测: Ph:0.1W~250W
16 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3161 只测: Ph:0.1W~250W
17 输入电容 半导体器件 分立器件 8部分:场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.10 只测: -3kV~3kV,0~1MHz
18 输出电容 半导体器件 分立器件 8部分:场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.11 只测: -3kV~3kV,0~1MHz
19 反向传输电容 半导体器件 分立器件 8部分:场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.12 只测: -3kV~3kV,0~1MHz
20 老炼试验 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 只测: 条件A、条件B, Vdsmax:3500V, Tjmax:200℃
21 温度,反偏和操作寿命试验 JESD22-A108F:2017 只测: HTRB和HTGB试验
22 间歇功率试验 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 只测: 条件D(间歇功率)
23 稳态功率试验 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042 只测: 条件C(稳态功率)

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